RIE反應離子刻蝕機

簡要描述：CIF 推出 RIE 反應離子刻蝕機，采用 RIE 反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學、科研院所，微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。RIE反應離子刻蝕機適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行 RIE 反應離子刻蝕。

產品型號：SPB5/plus
廠商性質：生產廠家
更新時間：2024-10-25
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CIF材料表面處理儀器

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CIF 推出 RIE 反應離子刻蝕機，采用 RIE 反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學、科研院所，微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。RIE反應離子刻蝕機適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行 RIE 反應離子刻蝕。

具體包括：

◆ 介電材料（SiO2、SiNx 等）

◆ 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

◆ III-V 材料（GaAs、InP、GaN 等）

◆ 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W 等）

◆ 類金剛石（DLC）

應用領域：

RIE反應離子刻蝕機主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發和制造。

產品特點

◆ 7 寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監測工藝參數狀態，20 個配方程序，工藝數據可存儲追溯。

◆ PLC 工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

◆ 真空艙體、全真空管路系統采用 316 不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。

◆ 采用防腐數字流量計，實現對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統，可選多氣路氣體輸送系統，可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

◆ 采用花灑式多孔進氣方式，改變單孔進氣不均勻問題。

◆ HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

◆ 符合人體功能學的 60 度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。

◆ 采用頂置真空艙，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。

◆ 上置式 360 度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。

◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。

◆ 安全保護，艙門打開，自動關閉電源，機器運行、停止提示。

技術參數

型號	RIE200	RIE200plus
艙體內尺寸	H38xΦ260mm	H38xΦ260mm
艙體容積	2L	2L
射頻電源	40KHz	13.56MHz
電極	不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm	不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm
匹配器	自動匹配	自動匹配

刻蝕方式	RIE	RIE
射頻功率	0-600W 可調（可選 0-1000W）	0-300W 可調（可選 0-600W）
氣體控制	質量流量計（MFC）（標配雙路，可選多路）流量范圍 0-500SCCM（可調）
工藝氣體	Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等（可選）
最大處理尺寸	Φ154mm
產品尺寸	L520xW600xH420mm
包裝尺寸	L700xW580xH490mm
時間設定	9999 秒
真空泵	抽速約 8m3/h
氣體穩定時間	1 分鐘
極限真空	≤1Pa
電源	AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配線符合《低壓配電設計規范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規范》等國標標準相關規定。
整機重量	38kg

備注：可選：1、冷卻循環水器：溫度控制范圍 -20-100℃;

2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）極限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。

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